National Science Library of Georgia

Image from Google Jackets

ბორის კარბიდის ფირების მიღების ხერხი პაატა კერვალიშვილი, სულხან შალამბერიძე, მარლენ კალანდაძე, გიორგი კალანდაძე, არჩილ ერისთავი.

Contributor(s): Material type: TextTextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1999 12 05 N 13Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვ. ; 2 ფიგურაPatent information: 1974 , B, 1999-12-05, published, SakpatentiOther title:
  • = Method for Production of Boron Carbide Pellicle : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2000 1974 B : (51) C 30 B 23/02 (IPC, 2006)
Subject(s): Other classification:
  • C30B23/02
Online resources: Summary: 1. ტექნიკური შედეგი ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს ბორის კარბიდის სამიზნის აორთქლებას იმპულსური ლაზერული გამოსხივების საშუალებით და წარმოქმნილი ორთქლის ფუძეშრეზე დაფენას, ამასთან იყენებენ ისეთ ლაზერულ გამოსხივებას, რომლის იმპულსის ხანგრძლივობა შეადგენს არაუმეტეს 15 ნანოწამისა, სიხშირე არანაკლებ 100 ჰერცისა, სიმძლავრის სიმკვრივე 2,5Х10 - 5Х10 ვტ/სმ . დაფენას აწარმოებენ 900 -1000 C -მდე გახურებულ ფუძეშრეზე. 3. გამოყენების სფერო მიკროელექტრონიკა.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Holdings
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
პატენტები პატენტები ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი C30B23/02 (Browse shelf(Opens below)) P 2000 1974 B Not for loan 2015-9037

- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.

1. ტექნიკური შედეგი
ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს ბორის კარბიდის სამიზნის აორთქლებას იმპულსური
ლაზერული გამოსხივების საშუალებით და წარმოქმნილი ორთქლის ფუძეშრეზე
დაფენას, ამასთან იყენებენ ისეთ ლაზერულ გამოსხივებას, რომლის იმპულსის
ხანგრძლივობა შეადგენს არაუმეტეს 15 ნანოწამისა, სიხშირე არანაკლებ 100
ჰერცისა, სიმძლავრის სიმკვრივე 2,5Х10 - 5Х10 ვტ/სმ . დაფენას აწარმოებენ
900 -1000 C -მდე გახურებულ ფუძეშრეზე.
3. გამოყენების სფერო
მიკროელექტრონიკა.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Copyright © 2023 Sciencelib.ge All rights reserved.