გალიუმის არსენიდზე ინტეგრალური მიკროსქემის კომპონენტების იზოლაციის ხერხი   
 = Method for Separation of Integrated Circuit Components on Gallium Arsenide    : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2002 2703 B : (51) H 01 L 21/26 (IPC, 2006) / 
ამირან ბიბილაშვილი, ალექსი გერასიმოვი, ნანული ლეჟავა, ნინა ხუჭუა. 
 - ქ. მცხეთა :  საქპატენტი,  პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2002 05 27 # 10. 
 - გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 14 გვ. ;  მუხლები: ფიგურა: 4. 
<br/><br/>  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. 
<br/><br/> 1.ტექნიკური შედეგი <br/>ელექტრული იზოლაციის ხარისხის, გამოსავლიანობისა და ხელსაწყოების პარამეტრების გაუმჯობესება, ქვესადებიდან მართვის ეფექტის სიდიდის შემცირება და ფირფიტაზე მუხტის დაგროვების აცილება.<br/>2.არსი<br/>ხერხი ითვალისწინებს ქვესადებზე დიელექტრიკული ფენის ფორმირებას და ნიღბით დაუფარავი უბნების პლაზმურ ანოდირებას ულტრაიისფერი გამოსხივების გამოყენებით.<br/>3.გამოყენების სფერო<br/>მიკროელექტრონიკა 
<br/><br/><label>Patent No.: </label>2703  ge  B  2001-11-12  published  Sakpatenti 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>მიკროელექტრონიკა გალიუმი არსენიდი მიკროსქემა იზოლაცია