TY  - BOOK
AU  - ბიბილაშვილი, ალექსანდრე, 
AU  - გერასიმოვი, ალექსი, 
AU  - ლეჟავა, ნანული
AU  - ხუჭუა, ნინა
ED  - საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
TI  - გალიუმის არსენიდზე ინტეგრალური მიკროსქემის კომპონენტების იზოლაციის ხერხი  
PY  - 0000///პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (452002/// 05 27 # 10
CY  - ქ. მცხეთა
PB  - საქპატენტი
KW  - მიკროელექტრონიკა
KW  - გალიუმი
KW  - არსენიდი
KW  - მიკროსქემა
KW  - იზოლაცია
N1  -  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე
N2  - 1.ტექნიკური შედეგი 
ელექტრული იზოლაციის ხარისხის, გამოსავლიანობისა და ხელსაწყოების პარამეტრების გაუმჯობესება, ქვესადებიდან მართვის ეფექტის სიდიდის შემცირება და ფირფიტაზე მუხტის დაგროვების აცილება.
2.არსი
ხერხი ითვალისწინებს ქვესადებზე დიელექტრიკული ფენის ფორმირებას და ნიღბით დაუფარავი უბნების პლაზმურ ანოდირებას ულტრაიისფერი გამოსხივების გამოყენებით.
3.გამოყენების სფერო
მიკროელექტრონიკა
UR  - http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
ER  -