ფენოვანი სილიკატების აქტივიზაციის ხერხი ხოსე ანტონიო ორტის ნიემბრო.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა: საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1999 09 05 N10Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 13 გვ. ; მუხლები: 8 დამოკიდებული; 9 ცხრილიPatent information: 1864 , B, 1999-09-05, published, SakpatentiOther title: - = Process for Activating Layered Silicates : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 1999 1864 B : (51) C 01 B 33/20 (IPC, 2006)
- C01B33/20;
- B01J20/12;
- B01J20/16;
- C01B33/24;
- C01B33/34
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი | C01B33/20 (Browse shelf(Opens below)) | P 1999 1864 B | Not for loan | 2015-6010 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
აქტივირების გამარტივება, ზეთოვანი, ცხიმოვანი, ცვილოვანი პროდუქტების გაზრდილი ადსორბციის უნარის მქონე ფენოვანი სილიკატოს მიღება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს ფენოვანი სილიკატის 1-10 მას.% მჟავით დამუშავებას არა უმეტეს 80 C ტემპერატურაზე და 200-400 C ტემპერატურამდე კალცინირებას და დაწვრილმანებას.
3. გამოყენების სფერო
სილიკატების წარმოება
There are no comments on this title.