ნახევარგამტარი მასალების არაერთგვაროვნების კონტროლის ხერხი ლუიზა კეკელიძე, ნინა დათუნაშვილი, კარლო გიორგაძე.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1994 06 15Description: სასარგებლო მოდელზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვ. ; ფიგურები: 2Patent information: 18, Y, 1994-06-15, published, SakpatentiOther title: - = Method for Controlling Discontinuity of Semiconductor Material : სასარგებლო მოდელის პატენტი = Patent for utility model : (11) GE U 1994 18 Y : (51) G 01 N 27/02 (IPC, 2006)
- G01N27/02
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი | G01N27/02 (Browse shelf(Opens below)) | U 1994 18 Y | Not for loan | 2015-23763 |
– პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
სასარგებლო მოდელი განეკუთვნება
ნახევარგამტარი მასალების ელექტ-
რული მახასიათებლების გაზომვის
ტექნიკას, კერძოდ, ბორის შემცველ
მოცულობით ნიმუშებში ხვედრითი
წინააღმდეგობის არაერთგვაროვნების
დონის შეფასებას, რომელნიც
განკუთვნილი არიან შემდგომში
გადამწოდის მგრძნობიარე ელემენტის
დასამზადებლად.
ტექნიკური შედეგი მდგომარეობს იმაში, რომ ხერხი საშუალებას იძლევა სწრაფად, ზედაპირის დაუზიანებლად და მასთან შეუხებლად, მაღალი მგრძნობიარობით განისაზღვროს წინააღმდეგობის არაერთგვაროვნება ბორის შემცველ ნიმუშებში.
ნიმუშის ზედაპირზე გარკვეული ტრაფარეტით აფენენ ომურ კონტაქტებს, რომელთა შორის იზომება წინააღმდეგობა ცენტრში და პერიფერიაზე ისე, რომ ელექტროდსა და ზედაპირს შორის ხვდება დაფენილი ფენა. ტრაფარეტის ბადის ზომებით შემდგომში ხდება დისკოს დაჭრა გადამწოდის მგრძნობიარე ელემენტის დასამზადებლად.
There are no comments on this title.