გალიუმის არსენიდზე ინტეგრალური მიკროსქემის კომპონენტების იზოლაციის ხერხი ამირან ბიბილაშვილი, ალექსი გერასიმოვი, ნანული ლეჟავა, ნინა ხუჭუა.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2002 05 27 # 10Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 14 გვ. ; მუხლები: ფიგურა: 4Patent information: 2703, B, 2001-11-12, published, SakpatentiOther title: - = Method for Separation of Integrated Circuit Components on Gallium Arsenide : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2002 2703 B : (51) H 01 L 21/26 (IPC, 2006)
- H01L21/26
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი | H01L21/26 (Browse shelf(Opens below)) | P 2002 2703 B | Not for loan | 2015-11953 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1.ტექნიკური შედეგი
ელექტრული იზოლაციის ხარისხის, გამოსავლიანობისა და ხელსაწყოების პარამეტრების გაუმჯობესება, ქვესადებიდან მართვის ეფექტის სიდიდის შემცირება და ფირფიტაზე მუხტის დაგროვების აცილება.
2.არსი
ხერხი ითვალისწინებს ქვესადებზე დიელექტრიკული ფენის ფორმირებას და ნიღბით დაუფარავი უბნების პლაზმურ ანოდირებას ულტრაიისფერი გამოსხივების გამოყენებით.
3.გამოყენების სფერო
მიკროელექტრონიკა
There are no comments on this title.