ფენოვანი სილიკატების აქტივიზაციის ხერხი
ფენოვანი სილიკატების აქტივიზაციის ხერხი
= Process for Activating Layered Silicates : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 1999 1864 B : (51) C 01 B 33/20 (IPC, 2006) /
ხოსე ანტონიო ორტის ნიემბრო.
- ქ. მცხეთა: საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1999 09 05 N10.
- გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 13 გვ. ; მუხლები: 8 დამოკიდებული; 9 ცხრილი.
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
აქტივირების გამარტივება, ზეთოვანი, ცხიმოვანი, ცვილოვანი პროდუქტების გაზრდილი ადსორბციის უნარის მქონე ფენოვანი სილიკატოს მიღება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს ფენოვანი სილიკატის 1-10 მას.% მჟავით დამუშავებას არა უმეტეს 80 C ტემპერატურაზე და 200-400 C ტემპერატურამდე კალცინირებას და დაწვრილმანებას.
3. გამოყენების სფერო
სილიკატების წარმოება
1864 ge B 1999-09-05 published Sakpatenti
სილიკატების წარმოება ფენოვანი სილიკატები აქტივიზაცია სილიკატები
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
აქტივირების გამარტივება, ზეთოვანი, ცხიმოვანი, ცვილოვანი პროდუქტების გაზრდილი ადსორბციის უნარის მქონე ფენოვანი სილიკატოს მიღება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს ფენოვანი სილიკატის 1-10 მას.% მჟავით დამუშავებას არა უმეტეს 80 C ტემპერატურაზე და 200-400 C ტემპერატურამდე კალცინირებას და დაწვრილმანებას.
3. გამოყენების სფერო
სილიკატების წარმოება
1864 ge B 1999-09-05 published Sakpatenti
სილიკატების წარმოება ფენოვანი სილიკატები აქტივიზაცია სილიკატები