მზის ფოტოელექტრული გარდამქმნელი ელემენტის დამზადების ხერხი
მზის ფოტოელექტრული გარდამქმნელი ელემენტის დამზადების ხერხი
= METHOD FOR PRODUCTION OF ELEMENT FOR SOLAR PHOTOELECTRIC TRANSFORMER : სასარგებლო მოდელის პატენტი [ = Patent for utility model] : (11) GE U 2007 1397 Y : (51) H 01 L 31/18 (IPC, 2006) /
რობერტ წერელოვი, ალბერტ წერელოვი, ნოდარ კეკელიძე.
- ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2007 12 10 # 23.
- სასარგებლო მოდელზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვ. ;
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
ხერხი ითვალისწინებს p-n გადასვლის შექმნას ბორ- ან ფოსფორსილიკატური მინის ფენიდან, კონტაქტური ბადის ფორმირებასა და თერმოდამუშავებას. მინის ფენას ნახევარგამტარულ ფუძეშრეზე ქმნიან მასზე ბორ-ან ფოსფორსილიკატური მინის საწყისი კომპონენტების ნარევის დაფენით და შემდგომი შელხობით 900-1000°C ტემპერატურაზე 15-20 წუთის განმავლობაში. კონტაქტური ბადის ფორმირებას ახორციელებენ ტრაფარეტული ბეჭდვის მეთოდით, ხოლო თერმოდამუშავებას ახდენენ 500-600°C ტემპერატურაზე 1-2 საათის განმავლობაში.
1397 ge Y 2007-12-10 published Sakpatenti
ნახევარგამტარული ტექნიკა ოპტოელექტრონიკა მზის სინათლე ელექტრული ენერგია გარდამქმნელი ელემენტი
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
ხერხი ითვალისწინებს p-n გადასვლის შექმნას ბორ- ან ფოსფორსილიკატური მინის ფენიდან, კონტაქტური ბადის ფორმირებასა და თერმოდამუშავებას. მინის ფენას ნახევარგამტარულ ფუძეშრეზე ქმნიან მასზე ბორ-ან ფოსფორსილიკატური მინის საწყისი კომპონენტების ნარევის დაფენით და შემდგომი შელხობით 900-1000°C ტემპერატურაზე 15-20 წუთის განმავლობაში. კონტაქტური ბადის ფორმირებას ახორციელებენ ტრაფარეტული ბეჭდვის მეთოდით, ხოლო თერმოდამუშავებას ახდენენ 500-600°C ტემპერატურაზე 1-2 საათის განმავლობაში.
1397 ge Y 2007-12-10 published Sakpatenti
ნახევარგამტარული ტექნიკა ოპტოელექტრონიკა მზის სინათლე ელექტრული ენერგია გარდამქმნელი ელემენტი