მესერის ატომების სიგრძივი აკუსტიკური რხევების ლოკალიზაციის მოვლენის გათვალისწინებით ინდიუმის ფოსფიდისა და გალიუმის არსენიდის საფუძველზე სტრუქტურების შექმნის ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის დამუშავება :
კუტუბიძე, ბორის
მესერის ატომების სიგრძივი აკუსტიკური რხევების ლოკალიზაციის მოვლენის გათვალისწინებით ინდიუმის ფოსფიდისა და გალიუმის არსენიდის საფუძველზე სტრუქტურების შექმნის ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის დამუშავება : ავტორეფ... ტექნ. მეცნ. დოქტ.. 05.27.06 / ბორის კუტუბიძე ; საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი ;[მეცნიერ-კონსულტანტი:: რაფიელ ჩიქოვანი]. - თბილისი, 2005. - 28 გვ.
ბიბლიოგრ. გვ.: 26-28
ელექტრონული ტექნიკა მესერის ატომები ეპიტაქსური ტექნოლოგია განის დიოდები ველიანი ტრანზისტორები ავტორეფერატი
62(043)
მესერის ატომების სიგრძივი აკუსტიკური რხევების ლოკალიზაციის მოვლენის გათვალისწინებით ინდიუმის ფოსფიდისა და გალიუმის არსენიდის საფუძველზე სტრუქტურების შექმნის ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის დამუშავება : ავტორეფ... ტექნ. მეცნ. დოქტ.. 05.27.06 / ბორის კუტუბიძე ; საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი ;[მეცნიერ-კონსულტანტი:: რაფიელ ჩიქოვანი]. - თბილისი, 2005. - 28 გვ.
ბიბლიოგრ. გვ.: 26-28
ელექტრონული ტექნიკა მესერის ატომები ეპიტაქსური ტექნოლოგია განის დიოდები ველიანი ტრანზისტორები ავტორეფერატი
62(043)