MARC details
000 -LEADER |
fixed length control field |
03860nam a22003497a 4500 |
003 - CONTROL NUMBER IDENTIFIER |
control field |
Ge_NSL |
005 - DATE AND TIME OF LATEST TRANSACTION |
control field |
20191221223600.0 |
008 - FIXED-LENGTH DATA ELEMENTS--GENERAL INFORMATION |
fixed length control field |
150625t2001 ge ||||| j 00| 0 geo d |
013 ## - PATENT CONTROL INFORMATION |
Number |
2520 |
Country |
ge |
Type of number |
B |
Date |
2001-05-10 |
Status |
published |
Party to document |
Sakpatenti |
041 ## - LANGUAGE CODE |
Language code of text/sound track or separate title |
ge |
084 ## - OTHER CLASSIFICATION NUMBER |
კლასიფიკაციის ინდექსი |
C30B20/06; |
084 ## - OTHER CLASSIFICATION NUMBER |
კლასიფიკაციის ინდექსი |
C30B29/06 |
245 ## - TITLE STATEMENT |
Title |
ფოსფორით ლეგირებული სილიციუმის მონოკრისტალის მიღების ხერხი |
Statement of responsibility, etc |
არსენ ეგიაზაროვი, გურამ ქარუმიძე, თამაზ აბზიანიძე. |
246 ## - VARYING FORM OF TITLE |
Title proper/short title |
= Method for Production of Silicum Monocrystal Alloyed by Phosphor |
Remainder of title |
: გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2001 2520 B : (51) C 30 B 20/06 (IPC, 2006) / |
264 ## - გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის ცნობები |
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... ადგილი |
ქ. მცხეთა : |
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... სახელწოდება |
საქპატენტი, |
გამოცემის, წარმოების, დისტრიბუციის... თარიღი |
პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2001 08 27 # 16. |
300 ## - PHYSICAL DESCRIPTION |
Extent |
გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვ. ; |
500 ## - GENERAL NOTE |
General note |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. |
520 ## - SUMMARY, ETC. |
Summary, etc |
1. ტექნიკური შედეგი <br/>სტრუქტურული დეფექტებისა და საექსპლუატაციო ხარჯების შემცირება, ფოსფორის კონ-<br/>ცენტრაციის გაზრდა.<br/><br/>2. არსი<br/>ხერხი ითვალისწინებს სილიციუმის ნეიტრონებით დასხივებას ატომურ რეაქტორში, შემ-<br/>დგომ მიღებული მასალის თერმულ დამუშავებას, ამასთან გამოიყენება სილიციუმის მონოკრისტალი, რომელშიც სილიციუმის იზიტოპ-30-ის კონცენტრაცია შეადგენს<br/>32%-100%-ს.<br/>3. გამოყენების სფერო<br/>ნახევარგამტარული მასალების მიღების ტექნოლოგია. |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
ნახევარგამტარული მასალები |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
ნახევარგამტარების ტექნოლოგია |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
ნახევარგამტარები |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
ფოსფორი |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
ლეგირება |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
სილიციუმი |
653 ## - INDEX TERM--UNCONTROLLED |
Uncontrolled term |
მონოკრისტალი |
700 ## - ADDED ENTRY--PERSONAL NAME |
Personal name |
აბზიანიძე, თამაზ |
Titles and other words associated with a name |
გამომგონებელი |
700 ## - ADDED ENTRY--PERSONAL NAME |
Personal name |
ქარუმიძე, გურამ |
Titles and other words associated with a name |
გამომგონებელი |
9 (RLIN) |
38929 |
700 ## - ADDED ENTRY--PERSONAL NAME |
Personal name |
ეგიაზაროვი, არსენ |
Titles and other words associated with a name |
გამომგონებელი |
9 (RLIN) |
37956 |
710 ## - ADDED ENTRY--CORPORATE NAME |
9 (RLIN) |
32583 |
Corporate name or jurisdiction name as entry element |
საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი |
856 ## - ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS |
Uniform Resource Identifier |
http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ |
Link text |
Search patent description for inventions here |
942 ## - ADDED ENTRY ELEMENTS (KOHA) |
Source of classification or shelving scheme |
Universal Decimal Classification |
Item type |
პატენტები |