Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах / Н. Б. Лукьянчикова.

Библиогр.: с. 278-290.

Рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото- и светодиодоя, лавинно-пролегных диодов, транзисторных элементо-в микросхем и др. Показано, какая информация о нешумовых характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных .исследований и как о'на расшифровывается. Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального 0'пределения источников шума в электронных приборах. Для научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, микросхем и приборов оптоэлектроники. Табл. 5. Ил. 81. Библиогр. 271 назв.