GaAlP-ტიპის ეპიტაქსიური შუქმნათი სტრუქტურების თხევადფაზური ზრდის ხერხი ანზორ ბერძენიშვილი, ანა ბერძენიშვილი, თენგიზ მხეიძე, გრიგორი ლობჟანიძე, რაფიელ ჩიქოვანი, ნოდარ კეკელიძე, დავით ჭარმაკაძე.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2002 10 25 # 20Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 11 გვ. ; ტაბულა: 2Patent information: 2826 , B, 2002-06-10, published, SakpatentiOther title: - = Method for Liquid-Phase Epitaxial Growth of Light-Emitting Structures of GaAIP Type : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2002 2826 B : (51) C 30 B 19/00 (IPC, 2006)
- C30B19/00
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | C30B19/00 (Browse shelf(Opens below)) | P 2002 2826 B | Not for loan | 2015-9024 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს გალიუმის ფოსფიდის ფუძეშრისა და გალიუმის, ფოსფორის და ალუმინის წონაკების წყალბადის ნაკადში მოთავსებას, მათ გაცხელებას, ნადნობის ფორმირებას, ესე იგი კვაზისტაციონარული წონასწორობის დამყარებას ნადნობსა და ფოსფორს შორის (რისთვისაც გამოიყენება InP), გაცივებას ნადნობის კრისტალიზაციის ტემპერატურამდე ტემპერატურის დაწევით, ფუძეშრესა და ნადნობს შორის კონტაქტის განხორციელებას, ფუძეშრის და ნადნობის ერთდროულ გაცივებას ეპიტაქსიური ფენის გასაზრდელად და ეპიტაქსიური ფენის ზედაპირიდან ნადნობის მექანიკურ მოცილებას ისეთნაირად, რომ ფუძეშრეზე რჩება ნადნობის ფენა სისქით 200-600 მკმ.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნოლოგია.
There are no comments on this title.