National Science Library of Georgia

Image from Google Jackets

ნანოზომის ელემენტებიანი ფოტოშაბლონის და ხელსაწყოების დამზადების ხერხი თეიმურაზ ხოფერია, ნიკოლოზ ხოფერია.

Contributor(s): Material type: TextTextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2009 09 25 #18Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 33 გვ. ; მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 8 დამოკიდებული; ფიგურა: 35Patent information: 4788, B, 2009-09-25 , published, SakpatentiOther title:
  • = METHOD FOR PRODUCTION OF PHOTOMASKS AND FACILITIES WITH NANOSIZE ELEMENTS : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2009 4788 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006)
Subject(s): Other classification:
  • H01L21/00;
  • H01L21/02
Online resources: Summary: ხერხი ითვალისწინებს გამჭვირვალე სუბსტრატზე, მაგალითად, მინაზე ან კვარცზე, პირველი ფენის დაფენის შემდეგ პირველი ჯგუფის სანიღბო ელემენტების მიღებას კონტაქტური ფოტოლითოგრაფიის მეშვეობით. შემდეგ ატარებენ ამ პირველი ჯგუფის სანიღბო ელემენტების ვერტიკალური და ზედა ჰორიზონტალური საზღვრების მოდიფიცირებას, მაგალითად, ოქსიდირებას. ამის შემდეგ ახდენენ მეორე სანიღბო ფენის დატანასა და მეორე სანიღბო ფენის ზედა (გარე) საზღვრების ოქსიდირებას.აწარმოებენ პირველი და მეორე სანიღბო ფენების ოქსიდირებული საზღვრების სელექციურ მოწამლვას. ამრიგად, ერთჯერადი ჩვეულებრივი ულტრაიისფერი კონტაქტური ფოტოლითოგრაფიით იღებენ ნახევრადგამჭვირვალე პირველი და მეორე ჯგუფის სანიღბო ელემენტებს და მათ შორის გამჭვირვალე ნანოზომის ელემენტებს.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Holdings
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
პატენტები პატენტები ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი H01L21/00 (Browse shelf(Opens below)) P 2009 4788 B Not for loan 2015-10051
Browsing ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 shelves, Shelving location: კორპ. 2, საცავი Close shelf browser (Hides shelf browser)
No cover image available
No cover image available
No cover image available
No cover image available
No cover image available
No cover image available
No cover image available
H01J9/00 ულტრაიისფერი გამოსხივების ინტენსიურობის ზრდის ხერხი H01L21/00 ნახევარგამტარული ხელსაწყოს დამზადების ხერხი H01L21/00 მესამე ჯგუფის მეტალების ნიტრიდების მიღებისა და მათი ლეგირების ათერმული ხერხი H01L21/00 ნანოზომის ელემენტებიანი ფოტოშაბლონის და ხელსაწყოების დამზადების ხერხი H01L21/00 PbSnSe-ტიპის მაღალომიანი ეპიტაქსიალური ფენების ზრდის ხერხი H01L21/00 თხევადფაზური ეპიტაქსიის მეთოდით "შეუზღუდავი"და "შეზღუდული"ხსნარ-ნადნობის მოცულობების კომბინირებით მრავალფენიანი ნახევარგამტარული ჰეტეროსტრუქტურების ზრდის ხერხი H01L21/00 ლითონების ოქსიდების თხელაფსკურ მატრიცებში IV ჯგუფის ნახევარგამტარების ნანოკრისტალების მიღების ხერხი

- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.

ხერხი ითვალისწინებს გამჭვირვალე სუბსტრატზე, მაგალითად, მინაზე ან კვარცზე, პირველი ფენის დაფენის შემდეგ პირველი ჯგუფის სანიღბო ელემენტების მიღებას კონტაქტური ფოტოლითოგრაფიის მეშვეობით. შემდეგ ატარებენ ამ პირველი ჯგუფის სანიღბო ელემენტების ვერტიკალური და ზედა ჰორიზონტალური საზღვრების მოდიფიცირებას, მაგალითად, ოქსიდირებას. ამის შემდეგ ახდენენ მეორე სანიღბო ფენის დატანასა და მეორე სანიღბო ფენის ზედა (გარე) საზღვრების ოქსიდირებას.აწარმოებენ პირველი და მეორე სანიღბო ფენების ოქსიდირებული საზღვრების სელექციურ მოწამლვას.
ამრიგად, ერთჯერადი ჩვეულებრივი ულტრაიისფერი კონტაქტური ფოტოლითოგრაფიით იღებენ ნახევრადგამჭვირვალე პირველი და მეორე ჯგუფის სანიღბო ელემენტებს და მათ შორის გამჭვირვალე ნანოზომის ელემენტებს.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Copyright © 2023 Sciencelib.ge All rights reserved.