თხევადფაზური ეპიტაქსიის მეთოდით "შეუზღუდავი"და "შეზღუდული"ხსნარ-ნადნობის მოცულობების კომბინირებით მრავალფენიანი ნახევარგამტარული ჰეტეროსტრუქტურების ზრდის ხერხი ლარისა ბიჩკოვა, ნოდარ კეკელიძე, თეიმურაზ ჯახუტაშვილი, ერემია თულაშვილი, რაფაელ ჩიქოვანი.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 11 10 #21Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 6 გვ. ; მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 2 დამოკიდებული; ფიგურა: 3Patent information: 3963, B, 2006-11-10, published, SakpatentiOther title: - = METHOD FOR CULTIVATION OF MULTILAYERED SEMI-CONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THE METHOD OF LIQUID EPITAXIA OF COMBINATIONS OF “UNLIMITED” AND “LIMITED” SOLUTION-FLUX VOLUMES : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3963 B : (51) H 01 L 21/20 (IPC, 2006)
- H01L21/20;
- C30B19/00
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | H01L21/00 (Browse shelf(Opens below)) | P 2006 3963 B | Not for loan | 2015-10163 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
ხერხი ითვალისწინებს დონორული და აქცეპტორული მინარევის შემცველი ხსნარ-ნადნობების გამოყე-ნებას და პირველი გაზრდილი ეპიტაქსიალური p- (ან n-) ფენის მქონე საფენზე არსებული ნადნობის მოცულობის მკვეთრ შეცვლას, ამასთან, p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობიდან p-ტიპის პირველი ეპიტაქსიალური ფენის მიღების შემდეგ აქტიური არის ზრდას გარკვეული დროის განმავლობაში ახორციელებენ პირველი p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის მოცულობის შეზღუდვით, რომელიც ხასიათდება ძირითადი კომპონენტის კონცენტრაციის გრადიენტით, რის შემდეგაც ამ შეზღუდული მოცულობის ფენაზე აწარმოებენ n- (ან p-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობის ჩამოწევას.
There are no comments on this title.