ლითონების ოქსიდების თხელაფსკურ მატრიცებში IV ჯგუფის ნახევარგამტარების ნანოკრისტალების მიღების ხერხი გიორგი გობრონიძე, დავით ჯიშიაშვილი, ზეინაბ შიოლაშვილი, ბესარიონ ერისთავი.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45):) 2006 01 10 #1Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 8 გვ. ; მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; ფიგურა: 2Patent information: 3725, B, 2006-01-10, published, SakpatentiOther title: - = Method for Production of Nanocrystals IV of Semiconductor Group in Thin-Film Metal Oxides Martix : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3725 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006)
- H01L21/00
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | H01L21/00 (Browse shelf(Opens below)) | P 2006 3725 B | Not for loan | 2015-10208 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
ხერხი ითვალისწინებს ოქსიდის წარმომქმნელი ლითონისა და IV ჯგუფის ნახევარგამტარისაგან შედგენილი სამიზნის იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას, ამასთან, იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას ახორციელებენ ისეთნაირად შერჩეულ ჟანგბადის პარციალურ წნევაზე, რომელიც უზრუნველყოფს ლითონის სრულ დაჟანგვასა და მისი ოქსიდის მიღებას და, იმავდროულად, არასაკმარისია ოქსიდურ ფირში მყოფი ნახევარგამტარის ატომების დასაჟანგად
There are no comments on this title.