National Science Library of Georgia

Image from Google Jackets

ნახევარგამტარული ხელსაწყოების დამზადების ხერხი ირაკლი ნახუცრიშვილი, დავით ჯიშიაშვილი, ვალერიან გობრონიძე, ზეინაბ შიოლაშვილი.

Contributor(s): Material type: TextTextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2001 11 26 # 21Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვPatent information: 2594, B, 2001-06-11 , published, SakpatentiOther title:
  • = Method for Production of Semiconductor Devices : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2001 2594 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006)
Subject(s): Other classification:
  • H01L21/00
  • H01L21/108
  • H01L21/22
Online resources: Summary: 1. ტექნიკური შედეგი ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს AIII BV ტიპის ნახევარგამტარის ზედაპირზე გერმანიუმის დიფუზიის წყაროს წარმოქმნას გერმანიუმის სამიზნის დაბალტემპერატურული იონურ-პლაზმური გაფრქვევით. მოყვანილია ტექნოლოგიური რეჟიმის პარამეტრები. 3. გამოყენების სფერო ნახევარგამტარული ტექნიკა.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Holdings
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
პატენტები პატენტები ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. H01L21/00 (Browse shelf(Opens below)) P 2001 2594 B Not for loan 2015-12079

- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.

1. ტექნიკური შედეგი
ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს AIII BV ტიპის ნახევარგამტარის ზედაპირზე გერმანიუმის დიფუზიის წყაროს წარმოქმნას გერმანიუმის სამიზნის დაბალტემპერატურული იონურ-პლაზმური გაფრქვევით. მოყვანილია ტექნოლოგიური რეჟიმის პარამეტრები.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარული ტექნიკა.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Copyright © 2023 Sciencelib.ge All rights reserved.