AIIIBV სახის ნახევარგამტარზე ომური კონტაქტის შექმნის ხერხი ელეონორა გრძელიშვილი.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1997 01 03 #3Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 2 გვPatent information: 762, B, 1997-03-01, published, SakpatentiOther title: - = Method for Production of Ohmic Contacts on III-V (compound) Semiconductors : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 1997 762 B : (51) H 01 L 21/28 (IPC, 2006)
- H01L21/28
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | H01L21/28 (Browse shelf(Opens below)) | P 1997 762 B | Not for loan | 2015-12671 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
გამოგონება განეკუთვნება ნახევარგამტარიან ხელსაწყოთმშენებლობას და შეიძლება გამოყენებულ იქნეს A B სახის ნახევარგამტარის საფუძველზე ხელსაწყოების დამზადების ტექნოლოგიაში.
გამოგონების ტექნიკური შედეგია ომური კონტაქტის გამოსავლიანობის გაზრდა, მათი ხვედრითი წინააღმდეგობის შემცირება და გამტარების თერმოკომპრესული და ულტრაბგერითი მიერთების უნარის გაუმჯობესება.
ხერხი ითვალისწინებს A B სახის ნახევარგამტარის ფირფიტის ქიმიურ დამუშავებას, მის ზედაპირზე სილიციუმის დიოქსდის დაფრქვევით და ფოტოლითოგრაგიით ნიღბის შექმნას, გახსნილ ფანჯრებში პალადიუმის, ნიკელის, ოქროსა და კალის დალექვას, თერმოდამუშავებას და ნიკელის მეორე ფენის დალექვას.
There are no comments on this title.