Etudes experimentales et theoriques ds parametres de transport dans les semiconducteurs / Daniel Gasquet.

By:

Material type: Text

TextLanguage: French Paris, [S.a.]Description: 231 p. ; figSubject(s):

Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.

Holdings
Item type	Current library	Call number	Copy number	Status	Date due	Barcode
წიგნი	ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ.	537..311.322(043) (Browse shelf(Opens below))	3E14498	შესამოწმებელია		2020-13366191

Previous	No cover image available		No cover image available	No cover image available	No cover image available		No cover image available	Next
Previous	537.311.322 (043) მშრალი და სველი მოწამვლის პროცესების დამუშავება გალიუმის არსენიდის საფუძველზე ნახევარგამტარული ხელსაწყოებისა და ინტეგრალური სქემების დამზადების ტექნოლოგიაში :	537.311.322 S-30 Semiconductors--basic data /	537.311.322(043) ქრომისა და რკინა-ქრომის ფუძის შენადნობების ზედაპირებზე თერმო-ქიმიური დამუშავებით მიღებული დანაფარების სტრუქტურისა და ფორმირების მექანიზმების გამოკვლევა :	537..311.322(043) Etudes experimentales et theoriques ds parametres de transport dans les semiconducteurs /	537.311.322(043) Anharmonicité des modes de vibration infrarouge dans le quartz-α ([alpha]) et quelques silicates :	537.311.322(063) Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature :	537.311.322(075.8) Введение в теорию полупроводников :	Next

These...

Bibliography: p. 227-231.

There are no comments on this title.

to post a comment.