<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<mods xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns="http://www.loc.gov/mods/v3" version="3.1" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-1.xsd">
  <titleInfo>
    <title>სილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღების ხერხი და მოწყობილობა მისი განხორციელებისათვის</title>
  </titleInfo>
  <titleInfo type="alternative">
    <title>= PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON TETRAFLUORIDE, AND APPARATUS FOR THE PROCESS</title>
    <subTitle>: გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2010 4907 B : (51) C 01 B 33/107 (IPC, 2006)</subTitle>
  </titleInfo>
  <name type="personal">
    <namePart>ნაგანო,  მიცუგუ</namePart>
    <namePart type="termsOfAddress">(JP) გამომგონებელი</namePart>
  </name>
  <name type="personal">
    <namePart>მორია, ტაკეხიკო</namePart>
    <namePart type="termsOfAddress">(JP) გამომგონებელი</namePart>
  </name>
  <name type="personal">
    <namePart>ვაკი, მასახიდე</namePart>
    <namePart type="termsOfAddress">(JP) გამომგონებელი</namePart>
  </name>
  <name type="personal">
    <namePart>მიამოტო, კაზუხირო</namePart>
    <namePart type="termsOfAddress">(JP) გამომგონებელი</namePart>
  </name>
  <name type="corporate">
    <namePart>საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი</namePart>
  </name>
  <typeOfResource>text</typeOfResource>
  <genre authority="marc">patent</genre>
  <originInfo>
    <place>
      <placeTerm type="code" authority="marccountry">ge</placeTerm>
    </place>
    <dateIssued encoding="marc">2010</dateIssued>
    <issuance>monographic</issuance>
  </originInfo>
  <language>
    <languageTerm authority="iso639-2b" type="code">geo</languageTerm>
  </language>
  <physicalDescription>
    <form authority="marcform">print</form>
    <extent>გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 33 გვ. ; მუხლები: 2 დამოუკიდებელი; 9 დამოკიდებული; ფიგურა: 1.</extent>
  </physicalDescription>
  <abstract>აღწერილია სილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღების ხერხი, რომელიც უზრუნველყოფს სილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღებაზე დანახარჯების შემცირებას, ასევე, წარმოების პროცესში წარმოქმნილი ნარჩენების შემცირებას. გამოგონებაში აღწერილია მოწყობილობა ამ ხერხის განხორციელებისათვის. </abstract>
  <note type="statement of responsibility">მიცუგუ ნაგანო, ტაკეხიკო მორია, მასახიდე ვაკი, კაზუხირო მიამოტო.</note>
  <note> - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.</note>
  <subject>
    <topic>სილიციუმის ტეტრაფთორიდი</topic>
  </subject>
  <subject>
    <topic>ტეტრაფთორიდი</topic>
  </subject>
  <subject>
    <topic>ოპტიკა</topic>
  </subject>
  <classification authority="">C01B33/107</classification>
  <identifier type="uri">http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/</identifier>
  <location>
    <url displayLabel="Search patent description for inventions here">http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/</url>
  </location>
  <recordInfo>
    <recordCreationDate encoding="marc">150424</recordCreationDate>
    <recordChangeDate encoding="iso8601">20191221223408.0</recordChangeDate>
  </recordInfo>
</mods>
