GaAlP-ტიპის ეპიტაქსიური შუქმნათი სტრუქტურების თხევადფაზური ზრდის ხერხი 
 = Method for Liquid-Phase Epitaxial Growth of Light-Emitting Structures of GaAIP Type  : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2002 2826 B : (51) C 30 B 19/00 (IPC, 2006) / 
ანზორ ბერძენიშვილი, ანა ბერძენიშვილი, თენგიზ მხეიძე, გრიგორი ლობჟანიძე, რაფიელ ჩიქოვანი, ნოდარ კეკელიძე, დავით ჭარმაკაძე.  
 - ქ. მცხეთა :  საქპატენტი,  პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2002 10 25 # 20. 
 - გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 11 გვ. ;  ტაბულა: 2. 
<br/><br/> - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. 
<br/><br/> 1. ტექნიკური შედეგი<br/>ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება.<br/>2. არსი<br/>ხერხი ითვალისწინებს გალიუმის ფოსფიდის ფუძეშრისა და გალიუმის, ფოსფორის და ალუმინის წონაკების წყალბადის ნაკადში მოთავსებას, მათ გაცხელებას, ნადნობის ფორმირებას, ესე იგი კვაზისტაციონარული წონასწორობის დამყარებას ნადნობსა და ფოსფორს შორის (რისთვისაც გამოიყენება InP), გაცივებას ნადნობის კრისტალიზაციის ტემპერატურამდე ტემპერატურის დაწევით, ფუძეშრესა და ნადნობს შორის კონტაქტის განხორციელებას, ფუძეშრის და ნადნობის ერთდროულ გაცივებას ეპიტაქსიური ფენის გასაზრდელად და ეპიტაქსიური ფენის ზედაპირიდან ნადნობის მექანიკურ მოცილებას ისეთნაირად, რომ ფუძეშრეზე რჩება ნადნობის ფენა სისქით 200-600 მკმ. <br/>3. გამოყენების სფერო<br/>ნახევარგამტარების ტექნოლოგია. 
<br/><br/><label>Patent No.: </label>2826   ge  B  2002-06-10  published  Sakpatenti 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>ნახევარგამტარების ტექნოლოგია ნახევარგამტარები GaAlP  ეპიტაქსიური სტრუქტურები შუქმნათი სტრუქტურები თხევადფაზური ზრდა