TY  - BOOK
AU  - ბერძენიშვილი, ანზორ     
AU  - ბერძენიშვილი, ანა 
AU  - მხეიძე, თენგიზ 
AU  - ლობჟანიძე, გრიგორი 
AU  - ჩიქოვანი, რაფიელ 
AU  - კეკელიძე, ლუიზა, 
AU  - ჭარმაკაძე, დავით  
ED  - საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
TI  - GaAlP-ტიპის ეპიტაქსიური შუქმნათი სტრუქტურების თხევადფაზური ზრდის ხერხი
PY  - 0000///პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (452002/// 10 25 # 20
CY  - ქ. მცხეთა
PB  - საქპატენტი
KW  - ნახევარგამტარების ტექნოლოგია
KW  - ნახევარგამტარები
KW  - GaAlP
KW  - ეპიტაქსიური სტრუქტურები
KW  - შუქმნათი სტრუქტურები
KW  - თხევადფაზური ზრდა
N1  - - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე
N2  - 1. ტექნიკური შედეგი
ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს გალიუმის ფოსფიდის ფუძეშრისა და გალიუმის, ფოსფორის და ალუმინის წონაკების წყალბადის ნაკადში მოთავსებას, მათ გაცხელებას, ნადნობის ფორმირებას, ესე იგი კვაზისტაციონარული წონასწორობის დამყარებას ნადნობსა და ფოსფორს შორის (რისთვისაც გამოიყენება InP), გაცივებას ნადნობის კრისტალიზაციის ტემპერატურამდე ტემპერატურის დაწევით, ფუძეშრესა და ნადნობს შორის კონტაქტის განხორციელებას, ფუძეშრის და ნადნობის ერთდროულ გაცივებას ეპიტაქსიური ფენის გასაზრდელად და ეპიტაქსიური ფენის ზედაპირიდან ნადნობის მექანიკურ მოცილებას ისეთნაირად, რომ ფუძეშრეზე რჩება ნადნობის ფენა სისქით 200-600 მკმ. 
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნოლოგია
UR  - http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
ER  -