PbSnSe-ტიპის მაღალომიანი ეპიტაქსიალური ფენების ზრდის ხერხი   
 = METHOD FOR GROWING HIGH-RESISTANCE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe-TYPE  : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3967 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) / 
მეგი ენუქაშვილი, ნოდარ კეკელიძე, ომარ დავარაშვილი, ანზორ ბერძენიშვილი, ვლადიმერ ზლომანოვი. 
 - ქ. მცხეთა :  საქპატენტი,  პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 11 10 #21. 
 - გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 9 გვ. ;  მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 3 დამოკიდებული. 
<br/><br/>  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. 
<br/><br/> ხერხი ითვალისწინებს [III] ან [100] სიბრტყეში ორიენტირებული BaF₂ ფუძეშრის, SnSe და PbSe შენადნობისა და Se ან Te ორთქლის დამატებითი წყაროს მოთავსებას ცალკეულ ტემპერატურულ ზონებში, ვაკუუმის შექმნას, ფუძეშრის იზოლირებას, ტემპერატურული ზონების გახურებასა და ყოველ ზონაში შესაბამისი ტემპერატურის მიღწევისას ფუძეშრის დეიზოლირებას. შემდეგ, 10-15 წუთის განმავლობაში, ახორციელებენ ფუძეშრის ტემპერატურის ზრდას საფეხურებრივად. შენადნობის მომზადების დროს იყენებენ ქრომის მინარევს. 
<br/><br/><label>Patent No.: </label>3967  ge  B  2006-11-10  published  Sakpatenti 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>ნახევარგამტარი ხელსაწყო ეპიტაქსიალური ფენა