TY  - BOOK
AU  - ენუქაშვილი, მეგი
AU  - კეკელიძე, ლუიზა, 
AU  - დავარაშვილი, ომარ
AU  - ბერძენიშვილი, ანზორ
AU  - ზლომანოვი, ვლადიმერ
ED  - საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
TI  - PbSnSe-ტიპის მაღალომიანი ეპიტაქსიალური ფენების ზრდის ხერხი  
PY  - 0000///პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (452006/// 11 10 #21
CY  - ქ. მცხეთა
PB  - საქპატენტი
KW  - ნახევარგამტარი
KW  - ხელსაწყო
KW  - ეპიტაქსიალური ფენა
N1  -  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე
N2  - ხერხი ითვალისწინებს [III] ან [100] სიბრტყეში ორიენტირებული BaF₂ ფუძეშრის, SnSe და PbSe შენადნობისა და Se ან Te ორთქლის დამატებითი წყაროს მოთავსებას ცალკეულ ტემპერატურულ ზონებში, ვაკუუმის შექმნას, ფუძეშრის იზოლირებას, ტემპერატურული ზონების გახურებასა და ყოველ ზონაში შესაბამისი ტემპერატურის მიღწევისას ფუძეშრის დეიზოლირებას. შემდეგ, 10-15 წუთის განმავლობაში, ახორციელებენ ფუძეშრის ტემპერატურის ზრდას საფეხურებრივად. შენადნობის მომზადების დროს იყენებენ ქრომის მინარევს
UR  - http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
ER  -