TY  - BOOK
AU  - ბიჩკოვა, ლარისა
AU  - კეკელიძე, ლუიზა, 
AU  - ჯახუტაშვილი, თეიმურაზ
AU  - თულაშვილი, ერემია
AU  - ჩიქოვანი, რაფაელ
ED  - საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
TI  - თხევადფაზური ეპიტაქსიის მეთოდით "შეუზღუდავი"და "შეზღუდული"ხსნარ-ნადნობის მოცულობების კომბინირებით მრავალფენიანი ნახევარგამტარული ჰეტეროსტრუქტურების ზრდის ხერხი
PY  - 0000///პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (452006/// 11 10 #21
CY  - ქ. მცხეთა
PB  - საქპატენტი
KW  - ხსნარი
KW  - ჰეტეროსტრუქტურა
KW  - ეპიტაქსია
KW  - ხსნარ-ნადნობი
N1  -  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე
N2  - ხერხი ითვალისწინებს დონორული და აქცეპტორული მინარევის შემცველი ხსნარ-ნადნობების გამოყე-ნებას და პირველი გაზრდილი ეპიტაქსიალური p- (ან n-) ფენის მქონე საფენზე არსებული ნადნობის მოცულობის მკვეთრ შეცვლას, ამასთან, p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობიდან p-ტიპის პირველი ეპიტაქსიალური ფენის მიღების შემდეგ აქტიური არის ზრდას გარკვეული დროის განმავლობაში ახორციელებენ პირველი p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის მოცულობის შეზღუდვით, რომელიც ხასიათდება ძირითადი კომპონენტის კონცენტრაციის გრადიენტით, რის შემდეგაც ამ შეზღუდული მოცულობის ფენაზე აწარმოებენ n- (ან p-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობის ჩამოწევას.
UR  - http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
ER  -