ლითონების ოქსიდების თხელაფსკურ მატრიცებში IV ჯგუფის ნახევარგამტარების ნანოკრისტალების მიღების ხერხი   
 = Method for Production of Nanocrystals IV of Semiconductor Group in Thin-Film Metal Oxides Martix   : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3725 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) / 
გიორგი გობრონიძე, დავით ჯიშიაშვილი, ზეინაბ შიოლაშვილი, ბესარიონ ერისთავი. 
 - ქ. მცხეთა :  საქპატენტი,  პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45):) 2006 01 10 #1. 
 - გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 8 გვ. ;  მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; ფიგურა: 2. 
<br/><br/>  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. 
<br/><br/> ხერხი ითვალისწინებს ოქსიდის წარმომქმნელი ლითონისა და IV ჯგუფის ნახევარგამტარისაგან შედგენილი სამიზნის იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას, ამასთან, იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას ახორციელებენ ისეთნაირად შერჩეულ ჟანგბადის პარციალურ წნევაზე, რომელიც უზრუნველყოფს ლითონის სრულ დაჟანგვასა და მისი ოქსიდის მიღებას და, იმავდროულად, არასაკმარისია ოქსიდურ ფირში მყოფი ნახევარგამტარის ატომების დასაჟანგად 
<br/><br/><label>Patent No.: </label>3725  ge  B  2006-01-10  published  Sakpatenti 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>ნანოელექტრონიკა ნახევარგამტარული ლითონები მატრიცა ნანოკრისტალები