TY  - BOOK
AU  - გობრონიძე, გიორგი
AU  -  ჯიშიაშვილი, დავით
AU  -  შიოლაშვილი, ზეინაბ
AU  - ერისთავი, კახაბერ,
ED  - საქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
TI  - ლითონების ოქსიდების თხელაფსკურ მატრიცებში IV ჯგუფის ნახევარგამტარების ნანოკრისტალების მიღების ხერხი  
PY  - 0000///პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (452006/// 01 10 #1
CY  - ქ. მცხეთა
PB  - საქპატენტი
KW  - ნანოელექტრონიკა
KW  - ნახევარგამტარული ლითონები
KW  - მატრიცა
KW  - ნანოკრისტალები
N1  -  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე
N2  - ხერხი ითვალისწინებს ოქსიდის წარმომქმნელი ლითონისა და IV ჯგუფის ნახევარგამტარისაგან შედგენილი სამიზნის იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას, ამასთან, იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას ახორციელებენ ისეთნაირად შერჩეულ ჟანგბადის პარციალურ წნევაზე, რომელიც უზრუნველყოფს ლითონის სრულ დაჟანგვასა და მისი ოქსიდის მიღებას და, იმავდროულად, არასაკმარისია ოქსიდურ ფირში მყოფი ნახევარგამტარის ატომების დასაჟანგად
UR  - http://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
ER  -