AIIIBV სახის ნახევარგამტარზე ომური კონტაქტის შექმნის ხერხი   
 = Method for Production of Ohmic Contacts on III-V (compound) Semiconductors   : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 1997 762 B : (51) H 01 L 21/28 (IPC, 2006) / 
ელეონორა გრძელიშვილი. 
 - ქ. მცხეთა :  საქპატენტი,  პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1997 01 03 #3. 
 - გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 2 გვ. ; 
<br/><br/>  - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. 
<br/><br/> გამოგონება განეკუთვნება ნახევარგამტარიან ხელსაწყოთმშენებლობას და შეიძლება გამოყენებულ იქნეს A B სახის ნახევარგამტარის საფუძველზე ხელსაწყოების დამზადების ტექნოლოგიაში.<br/>გამოგონების ტექნიკური შედეგია ომური კონტაქტის გამოსავლიანობის გაზრდა, მათი ხვედრითი წინააღმდეგობის შემცირება და გამტარების თერმოკომპრესული და ულტრაბგერითი მიერთების უნარის გაუმჯობესება.<br/>ხერხი ითვალისწინებს A B სახის ნახევარგამტარის ფირფიტის ქიმიურ დამუშავებას, მის ზედაპირზე სილიციუმის დიოქსდის დაფრქვევით და ფოტოლითოგრაგიით ნიღბის შექმნას, გახსნილ ფანჯრებში პალადიუმის, ნიკელის, ოქროსა და კალის დალექვას, თერმოდამუშავებას და ნიკელის მეორე ფენის დალექვას.<br/>  
<br/><br/><label>Patent No.: </label>762  ge  B  1997-03-01  published  Sakpatenti 
<br/><br/><label>Subjects--Index Terms: </label>ნახევარგამტარიანი ხელსაწყოთმშენებლობა ომური კონტაქტი დამზადების ხერხი