ქსენონ-კრიპტონის ნარევიდან განსაკუთრებული სისუფთავის ქსენონის მიღების ხერხი
= METHOD FOR PRODUCTION OF SPECIAL PURITY XENON FROM THE XENON-KRYPTON MIXTURE : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3862 B : (51) F 25 J 3/00 (IPC, 2006) /
გელა ქარელი, გრიგოლ აბდუშელიშვილი, იური მეტრეველი, კობა ბაიაძე, ავთანდილ ბახტაძე, თამაზ აბზიანიძე, ვლადიმერ კუჭუხიძე.
- ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 06 26 #12.
- გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვ. ; მუხლები: 1 დამოუკიდებელი. ფიგურა: 1.
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
პატენტში განხილულია კრიპტონ-ქსენონის ნარევიდან მიღებული განსაკუთრებული სისუფთავის ქსენონის ხარისხობრივი მაჩვენებლების გაზრდის ხერხი, რაც მიიღწევა იმით, რომ ქსენონის პირველადი კონცენტრირების და დაგროვების შემდეგ რექტიფიკაციული დანადგარის სვეტის კუბში წარმობს მისი შემდგომი კონცენტრირება პერიოდული რექტიფიკაციის მეთოდით, რაც ეფექტურია როგორც ქსენონთან შედარებით მაღალი, ასევე დაბალი დუღილის ტემპერატუეის მქონე მინარევების მოცილებისათვის. ამრიგად, ცნობილი ხერხისაგან განსხვავებით, რომლის თანახმადაც ქსენონთან შედარებით დაბალი დუღილის ტემპერატურის მქონე მინარევების მოცილება წარმოებს რექტიფიკაციული მეთოდით, ხოლო მაღალი დუღილის ტემპერატურის მქონე მინარევებისა - ადსორბციული მეთოდის გამოყენებით, წარმოდგენილი ხერხი ითვალისწინებს ყველა მინარევებისაგან ქსენონის გაწმენდას პერიოდული რექტიფიკაციის მეთოდის გამოყენებით, თანაც იგივე სვეტში, რომელშიაც წარმოებს ქსენონის პირველადი კონცენტრირება ტრადიციული რექტიფიკაციული მეთოდის შესაბამისად. ქსენონ-კრიპტონის ნარევიდან განსაკუთრებული სისფთავის ქსენონის მიღების ზემოთაღნიშნული ხერხი შემოთავაზებულია და აპრობირებულია პირველად.