ბინარული ნახევარგამტარული შენაერთების მონოკრისტალური ფენების მიღების ხერხი თამაზ ბუთხუზი, ეკატერინე ჭიკოიძე, ნოდარ კეკელიძე, გიორგი ნაცვლიშვილი, დიმიტრი ფეიქრიშვილი, ლია ტრაპაიძე, მაია შარვაშიძე.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2000 08 25 # 16Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვPatent information: 2215 , B, 2000-05-10, published, SakpatentiOther title: - = Method for Obtaining the Monocrystal Layers’ Binary Semiconductor Connection : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2000 2215 B : (51) C 30 B 25/02 (IPC, 2006)
- C30B25/02
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 2 კორპ. 2, საცავი | C30B25/02 (Browse shelf(Opens below)) | P 2000 2215 B | Not for loan | 2015-9030 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
ნახევარგამტარული ფენების სისუფთავის ამაღლება.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს მონოკრისტალის თერმოდამუშავებას 100 - 1100 C ტემპერატურაზე არამეტალის ატომარულ ატმოსფეროში და ეკრანირებას 500 - 5000 ერსტედი მაგნიტური ველით, ამასთან, მონოკრისტალებს ათავსებენ 500 - 5000 ვ/მ დაძაბულობის მქონე ელექტრულ ველში.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარების ტექნოლოგია.
There are no comments on this title.