PbSnSe-ტიპის მაღალომიანი ეპიტაქსიალური ფენების ზრდის ხერხი მეგი ენუქაშვილი, ნოდარ კეკელიძე, ომარ დავარაშვილი, ანზორ ბერძენიშვილი, ვლადიმერ ზლომანოვი.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 11 10 #21Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 9 გვ. ; მუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 3 დამოკიდებულიPatent information: 3967, B, 2006-11-10, published, SakpatentiOther title: - = METHOD FOR GROWING HIGH-RESISTANCE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe-TYPE : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3967 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006)
- H01L21/00
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | H01L21/00 (Browse shelf(Opens below)) | P 2006 3967 B | Not for loan | 2015-10159 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
ხერხი ითვალისწინებს [III] ან [100] სიბრტყეში ორიენტირებული BaF₂ ფუძეშრის, SnSe და PbSe შენადნობისა და Se ან Te ორთქლის დამატებითი წყაროს მოთავსებას ცალკეულ ტემპერატურულ ზონებში, ვაკუუმის შექმნას, ფუძეშრის იზოლირებას, ტემპერატურული ზონების გახურებასა და ყოველ ზონაში შესაბამისი ტემპერატურის მიღწევისას ფუძეშრის დეიზოლირებას. შემდეგ, 10-15 წუთის განმავლობაში, ახორციელებენ ფუძეშრის ტემპერატურის ზრდას საფეხურებრივად. შენადნობის მომზადების დროს იყენებენ ქრომის მინარევს.
There are no comments on this title.