GaALAs ტიპის ეპიტაქსიური ფენების თხევადფაზური ზრდის ხერხი დავით ჭარმაკაძე, გრიგოლ ლობჟანიძე, ანზორ ბირკაია, ანზორ ბერძენიშვილი, ნოდარ კეკელიძე, ანა ბერძენიშვილი.
Material type:
TextLanguage: ge ქ. მცხეთა : საქპატენტი, პატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2000 02 10 N 3Description: გამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 7 გვ. ; მუხლები: 1 დამოკიდებულიPatent information: 2103, B, 2000-02-10, published, SakpatentiOther title: - = Method for Liquid-Phase Accumulating Epitaxial Layers of GaAlAs Type : გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2000 2103 B : (51) C 30 B 19/00 (IPC, 2006)
- C30B19/00
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
პატენტები
|
ეროვნული სამეცნიერო ბიბლიოთეკა 1 საცავი. 1 კორპ. | C30B19/00 (Browse shelf(Opens below)) | P 2000 2103 B | Not for loan | 2015-9035 |
- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
1. ტექნიკური შედეგი
საღი ნაკეთობების გამოსავლიანობის გაზრდა.
2. არსი
ხერხი ითვალისწინებს გალიუმის არსენიდის ფუძეშრის და თუთიის ან ტელურის
სახით მინარევის შემცველი გალიუმის, დარიშხანისა და ალუმინის წონაკების წყალბადის ნაკადში მოთავსებას, გაცხელების შედეგად მიღებულ ნადნობსა და დარიშხანს შორის კვაზისტაციონარული წონასწორობის დამყარებას, ფუძეშრის
დაკონტაქტებას ნადნობთან და გაციების შედეგად მიღებული ეპიტაქსიური ფენის ზედაპირიდან ნადნობის ნამეტის მოცილებას ზედაპირთან 25-60 კუთხით დახრილი გალიუმის არსენიდის ფირფიტით ამ ფირფიტის გადაადგილების მიმართულებით. ფირფიტის მუშა კიდის დაშორებას ფუძეშრიდან ინარჩუნებენ 0,1-0,6 მმ-ს ფარგლებში.
3. გამოყენების სფერო
ნახევარგამტარული ხელსაწყოების ტექნოლოგია.
There are no comments on this title.