| 000 | 04185nam a2200469 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\SPSTU\books\110291 | ||
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20161223121747.0 | ||
| 008 | 010220s1976 xx a z 001 zyrus u | ||
| 040 |
_a19013582 _d19013582 _ePSBO _ePSBO |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 080 | _a | ||
| 100 | 1 | _aБогданкевич О. В. | |
| 245 | 1 |
_aПолупроводниковые лазеры / _cО. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, П. Г. Елисеев. |
|
| 260 |
_aМосква : _bНаука, _c1976. |
||
| 300 |
_a415 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 374-411. | ||
| 520 | _aКнига посвящена полупроводниковым лазерам — эффективным и компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы широкого практического применения. Основное место в книге уделяется инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. Первая часть книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров инжекционного типа. Рассмотрены физические процессы, сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их практическом применении. Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронным возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, теплоные режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением. | ||
| 653 | _aნახევარგამტარული ლაზერები | ||
| 700 | 1 | _aДарзнек С. А. | |
| 700 | 1 | _aЕлисеев П. Г. | |
| 942 |
_2udc _cBK |
||
| 999 |
_c101214 _d101214 |
||