| 000 | 02744nam a2200301 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 999 |
_c104841 _d104841 |
||
| 001 | RU\SPSTU\books\144310 | ||
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20181129160521.0 | ||
| 008 | 170110s1972 ru ||||| |||| 00| 0 rus d | ||
| 040 |
_c19013582 _d19013582 _ePSBO _ePSBO |
||
| 041 | 1 |
_arus _heng |
|
| 080 | _a669.782 | ||
| 080 | _a | ||
| 245 | 1 |
_aКарбид кремния / _cПер. с англ. C. Н. Горина; Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. |
|
| 260 |
_aМосква : _bМир, _c1972. |
||
| 300 |
_a386 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр. в конце ст. | ||
| 520 | _aЗа последние годы карбид кремния находит все большее применение в технике. На его основе изготовляются новые типы источников света, высокотемпературные выпрямители и детекторы ядерных частиц. Приборы на основе карбида кремния имеют большое значение для развития таких областей техники, как радиоэлектроника, атомная энергетика и космос.В книге помещены оригинальные и обзорные работы, освещающие новые данные по методикам получения монокристаллов полупроводникового карбида кремния, по исследованию его физических свойств и по вопросам создания новых полупроводниковых приборов на его основе. Материал представляет большой интерес не только для тех, кто непосредственно изучает карбид кремния, но и для специалистов, занимающихся выращиванием других полупроводниковых монокристаллов, физикой полупроводников, полупроводниковых приборов, и для специалистов в области электротехники и радиоэлектроники. | ||
| 653 | _aკარბიდი | ||
| 653 | _aსილიციუმის კარბიდი | ||
| 700 | 1 |
_aГорин, C. Н. _eმთარგმნელი _988134 |
|
| 700 | 1 |
_aХениша, Г. _eრედაქტორი _988135 |
|
| 700 | 1 |
_aРоя, Р. _eრედაქტორი _988136 |
|
| 942 |
_2udc _cBK |
||