000 03049nam a2200349 i 4500
999 _c124538
_d124537
001 RU\SPSTU\books\133554
003 Ge_NSL
005 20190708140846.0
008 021018t1990 xx a z 000 zyrus u
015 _a90-56394
020 _a5256004964
035 _aru90-056394
040 _a19013582
_c19013582
_d19013582
_epsbo
_ePSBO
_ePSBO
041 0 _arus
080 _a537.311.322+621.382
100 1 _4070
_aЛукьянчикова, Н. Б.
_qНаталия Борисовна
_9122854
245 1 _aФлуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах /
_cН. Б. Лукьянчикова.
260 _aМ. :
_bРадио и связь,
_c1990.
300 _a295 с. :
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 278-290.
520 _aРассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото- и светодиодоя, лавинно-пролегных диодов, транзисторных элементо-в микросхем и др. Показано, какая информация о нешумовых характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных .исследований и как о'на расшифровывается. Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального 0'пределения источников шума в электронных приборах. Для научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, микросхем и приборов оптоэлектроники. Табл. 5. Ил. 81. Библиогр. 271 назв.
650 _aПолупроводники
_xФлуктуации
_9122855
650 _aПолупроводниковые приборы
_xФлуктуации
_9122856
653 _aნახევარგამტარი მოწყობილობა
653 _aფლქუაცია
942 _2udc
_cBK