000 03523nam a22003017a 4500
003 Ge_NSL
005 20191221223408.0
008 150424t2010 ge ||||| j 00| 0 geo d
013 _a4907
_bge
_cB
_d2010-02-25
_epublished
_fSakpatenti
041 _age
084 _aC01B33/107
245 _aსილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღების ხერხი და მოწყობილობა მისი განხორციელებისათვის
_cმიცუგუ ნაგანო, ტაკეხიკო მორია, მასახიდე ვაკი, კაზუხირო მიამოტო.
246 _a= PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON TETRAFLUORIDE, AND APPARATUS FOR THE PROCESS
_b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2010 4907 B : (51) C 01 B 33/107 (IPC, 2006) /
264 _aქ. მცხეთა:
_bსაქპატენტი,
_cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2010 02 25 # 4.
300 _aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 33 გვ. ;
_bმუხლები: 2 დამოუკიდებელი; 9 დამოკიდებული; ფიგურა: 1.
500 _a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520 _aაღწერილია სილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღების ხერხი, რომელიც უზრუნველყოფს სილიციუმის ტეტრაფთორიდის მიღებაზე დანახარჯების შემცირებას, ასევე, წარმოების პროცესში წარმოქმნილი ნარჩენების შემცირებას. გამოგონებაში აღწერილია მოწყობილობა ამ ხერხის განხორციელებისათვის.
653 _aსილიციუმის ტეტრაფთორიდი
653 _aტეტრაფთორიდი
653 _aოპტიკა
700 _aნაგანო, მიცუგუ
_c(JP) გამომგონებელი
_940014
700 _aმორია, ტაკეხიკო
_c(JP) გამომგონებელი
_940015
700 _aვაკი, მასახიდე
_c(JP) გამომგონებელი
_937715
700 _aმიამოტო, კაზუხირო
_c(JP) გამომგონებელი
_937716
710 _932583
_aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856 _uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
_ySearch patent description for inventions here
942 _2udc
_cPT
999 _c21645
_d21645