000			03922nam a22003137a 4500
999			_c22385 _d22385
003			Ge_NSL
005			20200518141537.0
008			150508t2007 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a1397 _bge _cY _d2007-12-10 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH 01 L 31/18
245			_aმზის ფოტოელექტრული გარდამქმნელი ელემენტის დამზადების ხერხი _cრობერტ წერელოვი, ალბერტ წერელოვი, ნოდარ კეკელიძე.
246			_a= METHOD FOR PRODUCTION OF ELEMENT FOR SOLAR PHOTOELECTRIC TRANSFORMER _b : სასარგებლო მოდელის პატენტი [ = Patent for utility model] : (11) GE U 2007 1397 Y : (51) H 01 L 31/18 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2007 12 10 # 23.
300			_aსასარგებლო მოდელზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვ. ;
500			_a- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_aხერხი ითვალისწინებს p-n გადასვლის შექმნას ბორ- ან ფოსფორსილიკატური მინის ფენიდან, კონტაქტური ბადის ფორმირებასა და თერმოდამუშავებას. მინის ფენას ნახევარგამტარულ ფუძეშრეზე ქმნიან მასზე ბორ-ან ფოსფორსილიკატური მინის საწყისი კომპონენტების ნარევის დაფენით და შემდგომი შელხობით 900-1000°C ტემპერატურაზე 15-20 წუთის განმავლობაში. კონტაქტური ბადის ფორმირებას ახორციელებენ ტრაფარეტული ბეჭდვის მეთოდით, ხოლო თერმოდამუშავებას ახდენენ 500-600°C ტემპერატურაზე 1-2 საათის განმავლობაში.
653			_aნახევარგამტარული ტექნიკა
653			_aოპტოელექტრონიკა
653			_aმზის სინათლე
653			_aელექტრული ენერგია
653			_aგარდამქმნელი ელემენტი
700			_aწერელოვი, რობერტ _cგამომგონებელი _940600
700			_a წერელოვი, ალბერტ _cგამომგონებელი _940601
700			_938928 _aკეკელიძე, ლუიზა, _cგამომგონებელი
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for the utility model here
942			_2udc _cPT