000			03995nam a22002897a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223444.0
008			150514t2003 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a1051 _bge _cY _d2003-12-10 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01M6/04
245			_aმანგანუმ-თუთიის სისტემის დენის ქიმიური წყაროს კათოდის აქტიური მასა _cვაჟა ფრუიძე, ჟიული ქებაძე, ლიანა კაკურია.
246			_a= Cathode Active Mass of Manganese-Zinc System Chemical Current Source _b : სასარგებლო მოდელის პატენტი [ = Patent for utility model] : (11) GE U 2003 1051 Y : (51) H 01M 6/04 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2003 12 10 #23.
300			_aსასარგებლო მოდელზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვ. ; _bმუხლები: ცხრილი: 1.
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_a1. ტექნიკური შედეგი კათოდის აქტიური მასის გამოყენების კოეფიციენტისა და დენის ქიმიური წყაროს ელექ- ტროტევადობის გაზრდა. 2. არსი მანგანუმ-თუთიის სისტემის დენის ქიმიური წყაროს კათოდის აქტიური მასა შეიცავს მანგანუმის დიოქსიდს, გრაფიტს, აცეტილენის ჭვარტლს, ნახშირბადულ ბოჭკოვან მასალას და ამონიუმის ქლორიდს კომპონენტების შემდეგი თანაფარდობით მას %: მანგანუმის დიოქსიდი - 78 - 84 გრაფიტი - 12,5 - 19,2 აცეტილენის ჭვარტლი - 1,5 - 8 ნახშირბადული ბოჭკოვანი მასალა - 1,1 - 1,7 ამონიუმის ქლორიდი- კომპონენტების საერთო მასის - 5 - 15 3. გამოყენების სფერო ელექტროქიმია, კერძოდ, დენის ქიმიური წყაროები.
653			_aელექტროქიმია
653			_aმანგანუმ-თუთია
653			_aდენის წყარო
700			_aფრუიძე, ვაჟა _cგამომგონებელი
700			_940542 _a ქებაძე, ჟიული, _cგამომგონებელი
700			_aკაკურია, ლიანა _cგამომგონებელი _940543
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for the utility model here
942			_2udc _cPT
999			_c22600 _d22600