000 04539nam a22003737a 4500
003 Ge_NSL
005 20191221223559.0
008 150625t2011 ge ||||| j 00| 0 geo d
013 _a5202
_bge
_cB
_d2011-04-11
_epublished
_fSakpatenti
041 _age
084 _aC30B29/08
245 _aტეტრაგონალური გერმანიუმის ნანოკრისტალების მიღების ხერხი
_cზეინაბ შიოლაშვილი, დავით ჯიშიაშვილი, ვალერიან გობრონიძე, ნინო მახათაძე, ალექსანდრე ჯიშიაშვილი.
246 _a= METHOD FOR PRODUCTION OF TETRAGONAL GERMANIUM NANOCRYSTALS
_b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 2011 5202 B : (51) C 30 B 29/08 (IPC, 2006) /
264 _aქ. მცხეთა :
_bსაქპატენტი,
_cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2011 04 11 # 7.
300 _aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 12 გვ. ;
_bმუხლები: 1 დამოუკიდებელი; ფიგურა: 4.
500 _a- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520 _aხერხი ითვალისწინებს კვარცის რეაქტორში გერმანიუმის ფუძეშრის მოთავსებას, რეაქტორში 10 ტორი სიდიდის ვაკუუმის შექმნასა და წყლიანი ჰიდრაზინის ორთქლის მიწოდებას. გამხურებლის მეშვეობით აცხელებენ რეაქტორის შიგთავსს (530– 560)°C ტემპერატურამდე. გერმანიუმის ფუძეშრისა და წყლიანი ჰიდრაზინის ორთქლის ურთიერთქმედების შედეგად წარმოქმნიან გერმანიუმის ფუძეშრეზე გერმანიუმის ნიტრიდის ნანომავთულებსა და მათ წვეროებზე გერმანიუმის დიოქსიდით გარშემორტყმულ ტეტრაგონალური გერმანიუმის ნანოკრისტალების სფეროებს.
653 _aნანოტექნოლოგია
653 _aოპტოელექტრონიკა
653 _aელექტრონიკა
653 _aსენსორული ტექნიკა
653 _aნანომექანიკა
653 _aტეტრაგონალური გერმანიუმი
653 _aგერმანიუმი
653 _aნანოკრისტალები
700 _aშიოლაშვილი, ზეინაბ
_cგამომგონებელი
_942224
700 _aჯიშიაშვილი, დავით
_cგამომგონებელი
_940825
700 _aგობრონიძე, ვალერიან
_cგამომგონებელი
700 _aმახათაძე, ნინო
_cგამომგონებელი
_942225
700 _aჯიშიაშვილი, ალექსანდრე
_cგამომგონებელი
_940825
710 _932583
_aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856 _uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
_ySearch patent description for inventions here
942 _2udc
_cPT
999 _c24147
_d24147