000 05279nam a22003737a 4500
003 Ge_NSL
005 20191221223559.0
008 150625t2002 ge ||||| j 00| 0 geo d
013 _a2826
_bge
_cB
_d2002-06-10
_epublished
_fSakpatenti
041 _age
084 _aC30B19/00
245 _aGaAlP-ტიპის ეპიტაქსიური შუქმნათი სტრუქტურების თხევადფაზური ზრდის ხერხი
_cანზორ ბერძენიშვილი, ანა ბერძენიშვილი, თენგიზ მხეიძე, გრიგორი ლობჟანიძე, რაფიელ ჩიქოვანი, ნოდარ კეკელიძე, დავით ჭარმაკაძე.
246 _a= Method for Liquid-Phase Epitaxial Growth of Light-Emitting Structures of GaAIP Type
_b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2002 2826 B : (51) C 30 B 19/00 (IPC, 2006) /
264 _aქ. მცხეთა :
_bსაქპატენტი,
_cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2002 10 25 # 20.
300 _aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 11 გვ. ;
_bტაბულა: 2.
500 _a- პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520 _a1. ტექნიკური შედეგი ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს გალიუმის ფოსფიდის ფუძეშრისა და გალიუმის, ფოსფორის და ალუმინის წონაკების წყალბადის ნაკადში მოთავსებას, მათ გაცხელებას, ნადნობის ფორმირებას, ესე იგი კვაზისტაციონარული წონასწორობის დამყარებას ნადნობსა და ფოსფორს შორის (რისთვისაც გამოიყენება InP), გაცივებას ნადნობის კრისტალიზაციის ტემპერატურამდე ტემპერატურის დაწევით, ფუძეშრესა და ნადნობს შორის კონტაქტის განხორციელებას, ფუძეშრის და ნადნობის ერთდროულ გაცივებას ეპიტაქსიური ფენის გასაზრდელად და ეპიტაქსიური ფენის ზედაპირიდან ნადნობის მექანიკურ მოცილებას ისეთნაირად, რომ ფუძეშრეზე რჩება ნადნობის ფენა სისქით 200-600 მკმ. 3. გამოყენების სფერო ნახევარგამტარების ტექნოლოგია.
653 _aნახევარგამტარების ტექნოლოგია
653 _aნახევარგამტარები
653 _aGaAlP
653 _aეპიტაქსიური სტრუქტურები
653 _aშუქმნათი სტრუქტურები
653 _aთხევადფაზური ზრდა
700 _aბერძენიშვილი, ანზორ
_cგამომგონებელი
_935795
700 _aბერძენიშვილი, ანა
_cგამომგონებელი
_935795
700 _aმხეიძე, თენგიზ
_cგამომგონებელი
_936306
700 _aლობჟანიძე, გრიგორი
_cგამომგონებელი
700 _aჩიქოვანი, რაფიელ
_cგამომგონებელი
700 _938928
_aკეკელიძე, ლუიზა,
_cგამომგონებელი
700 _aჭარმაკაძე, დავით
_cგამომგონებელი
_942227
710 _932583
_aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856 _uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/
_ySearch patent description for inventions here
942 _2udc
_cPT
999 _c24152
_d24152