000			03676nam a22003137a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223601.0
008			150625t1998 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a1493 _bge _cB _d1998-09-25 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aC30B29/40
245			_aნახევარგამტარული შენადნობის JnPxAs1-x მიღების ხერხი _cსერგო ლაითაძე, გიზი კეკელიძე, ლანდიშ ახვლედიანი, ნოდარ კეკელიძე.
246			_a= Method for Obtaining of Semiconductor Alloy InPxAs1-x _b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention :(11) GE P 1998 1493 B : (51) C 30 B 29/40 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1998 09 25 # 11.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 13 გვ. ; _bმუხლები: 1 დამოკიდებული; ფიგურა: 3.
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_a1. ტექნიკური შედეგი ნახევარგამტარის მიღების ტექნოლოგიის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს კომპონენტების მოთავსებას ვაკუუმში და განსხვავებული ტემპერატურული არეების შექმნას. გარკვეული საფეხურობრივი ტემპერატურული ზემოქმედებით ხორციელდება სინთეზი, მიღებული მყარი ხსნარის გაწმენდა მინარევებისაგან და ჰომოგენიზაცია. 3. გამოყენების სფერო ნახევარგამტარების ტექნიკა.
653			_aნახევარგამტარების ტექნიკა
653			_aნახევარგამტარები
653			_aნაერთი
653			_aJnPxAs1-x
700			_aლაითაძე, სერგო _cგამომგონებელი _938981
700			_938928 _aკეკელიძე, ლუიზა, _cგამომგონებელი
700			_aახვლედიანი, ლანდიშ _cგამომგონებელი
700			_938928 _aკეკელიძე, ლუიზა, _cგამომგონებელი
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c24171 _d24171