000			03136nam a22002897a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223638.0
008			150713t2013 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a5739 _bge _cB _d2013-01-25 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01L21/00
245			_aნახევარგამტარული ხელსაწყოს დამზადების ხერხი _cთინათინ ლაფერაშვილი.
246			_a= METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION _b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2013 5739 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2013 01 25 #2.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 17 გვ. ; _bმუხლები: 1 დამოუკიდებელი; ფიგურა: 14.
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_aხერხი ითვალისწინებს III-V ჯგუფის ნახევარგამტარის ზედაპირის ელექტროქიმიურ გასუფთავებასა და გასუფთავებულ ზედაპირზე III ჯგუფის ლითონის ელექტროქიმიურ დაფენას ერთიან ტექნოლოგიურ პროცესში. მიღებულ ლითონ/ნახევარგამტარის სტრუქტურას თერმულად ამუშავებენ მაღალი სისუფთავის აღმდგენელი ან ინერტული გაზის ატმოსფეროში.
653			_aმიკროელექტრონიკა
653			_aნახევარგამტარი
653			_aხელსაწყო
653			_aნანოელექტრონიკა
653			_aფოტოდეტექტორი
700			_aლაფერაშვილი, თინათინ _cგამომგონებელი _941458
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c24862 _d24862