000			04113nam a22003137a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223650.0
008			150716t2006 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a3967 _bge _cB _d2006-11-10 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01L21/00
245			_aPbSnSe-ტიპის მაღალომიანი ეპიტაქსიალური ფენების ზრდის ხერხი _cმეგი ენუქაშვილი, ნოდარ კეკელიძე, ომარ დავარაშვილი, ანზორ ბერძენიშვილი, ვლადიმერ ზლომანოვი.
246			_a= METHOD FOR GROWING HIGH-RESISTANCE EPITAXIAL LAYERS OF PbSnSe-TYPE _b: გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3967 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 11 10 #21.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 9 გვ. ; _bმუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 3 დამოკიდებული.
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_aხერხი ითვალისწინებს [III] ან [100] სიბრტყეში ორიენტირებული BaF₂ ფუძეშრის, SnSe და PbSe შენადნობისა და Se ან Te ორთქლის დამატებითი წყაროს მოთავსებას ცალკეულ ტემპერატურულ ზონებში, ვაკუუმის შექმნას, ფუძეშრის იზოლირებას, ტემპერატურული ზონების გახურებასა და ყოველ ზონაში შესაბამისი ტემპერატურის მიღწევისას ფუძეშრის დეიზოლირებას. შემდეგ, 10-15 წუთის განმავლობაში, ახორციელებენ ფუძეშრის ტემპერატურის ზრდას საფეხურებრივად. შენადნობის მომზადების დროს იყენებენ ქრომის მინარევს.
653			_aნახევარგამტარი
653			_aხელსაწყო
653			_aეპიტაქსიალური ფენა
700			_aენუქაშვილი, მეგი _cგამომგონებელი _943734
700			_938928 _aკეკელიძე, ლუიზა, _cგამომგონებელი
700			_aდავარაშვილი, ომარ _cგამომგონებელი _943735
700			_aბერძენიშვილი, ანზორ _cგამომგონებელი _935795
700			_aზლომანოვი, ვლადიმერ _c(RU) გამომგონებელი _943736
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c25087 _d25087