| 000 | 04960nam a22003377a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20191221223650.0 | ||
| 008 | 150716t2006 ge ||||| j 00| 0 geo d | ||
| 013 |
_a3963 _bge _cB _d2006-11-10 _epublished _fSakpatenti |
||
| 041 | _age | ||
| 084 | _aH01L21/20; | ||
| 084 | _aC30B19/00 | ||
| 245 |
_aთხევადფაზური ეპიტაქსიის მეთოდით "შეუზღუდავი"და "შეზღუდული"ხსნარ-ნადნობის მოცულობების კომბინირებით მრავალფენიანი ნახევარგამტარული ჰეტეროსტრუქტურების ზრდის ხერხი _cლარისა ბიჩკოვა, ნოდარ კეკელიძე, თეიმურაზ ჯახუტაშვილი, ერემია თულაშვილი, რაფაელ ჩიქოვანი. |
||
| 246 |
_a= METHOD FOR CULTIVATION OF MULTILAYERED SEMI-CONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THE METHOD OF LIQUID EPITAXIA OF COMBINATIONS OF “UNLIMITED” AND “LIMITED” SOLUTION-FLUX VOLUMES _b : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3963 B : (51) H 01 L 21/20 (IPC, 2006) / |
||
| 264 |
_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2006 11 10 #21. |
||
| 300 |
_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 6 გვ. ; _bმუხლები: 1 დამოუკიდებელი; 2 დამოკიდებული; ფიგურა: 3. |
||
| 500 | _a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. | ||
| 520 | _aხერხი ითვალისწინებს დონორული და აქცეპტორული მინარევის შემცველი ხსნარ-ნადნობების გამოყე-ნებას და პირველი გაზრდილი ეპიტაქსიალური p- (ან n-) ფენის მქონე საფენზე არსებული ნადნობის მოცულობის მკვეთრ შეცვლას, ამასთან, p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობიდან p-ტიპის პირველი ეპიტაქსიალური ფენის მიღების შემდეგ აქტიური არის ზრდას გარკვეული დროის განმავლობაში ახორციელებენ პირველი p- (ან n-) ხსნარ-ნადნობის მოცულობის შეზღუდვით, რომელიც ხასიათდება ძირითადი კომპონენტის კონცენტრაციის გრადიენტით, რის შემდეგაც ამ შეზღუდული მოცულობის ფენაზე აწარმოებენ n- (ან p-) ხსნარ-ნადნობის "შეუზღუდავი" მოცულობის ჩამოწევას. | ||
| 653 | _aხსნარი | ||
| 653 | _aჰეტეროსტრუქტურა | ||
| 653 | _aეპიტაქსია | ||
| 653 | _aხსნარ-ნადნობი | ||
| 700 |
_aბიჩკოვა, ლარისა _cგამომგონებელი _943766 |
||
| 700 |
_938928 _aკეკელიძე, ლუიზა, _cგამომგონებელი |
||
| 700 |
_aჯახუტაშვილი, თეიმურაზ _cგამომგონებელი _940228 |
||
| 700 |
_aთულაშვილი, ერემია _cგამომგონებელი _943767 |
||
| 700 |
_aჩიქოვანი, რაფაელ _cგამომგონებელი |
||
| 710 |
_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი |
||
| 856 |
_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here |
||
| 942 |
_2udc _cPT |
||
| 999 |
_c25091 _d25091 |
||