000			03985nam a22003137a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223653.0
008			150717t2006 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a3725 _bge _cB _d2006-01-10 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01L21/00
245			_aლითონების ოქსიდების თხელაფსკურ მატრიცებში IV ჯგუფის ნახევარგამტარების ნანოკრისტალების მიღების ხერხი _cგიორგი გობრონიძე, დავით ჯიშიაშვილი, ზეინაბ შიოლაშვილი, ბესარიონ ერისთავი.
246			_a= Method for Production of Nanocrystals IV of Semiconductor Group in Thin-Film Metal Oxides Martix _b : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2006 3725 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45):) 2006 01 10 #1.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 8 გვ. ; _bმუხლები: 1 დამოუკიდებელი; ფიგურა: 2.
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_aხერხი ითვალისწინებს ოქსიდის წარმომქმნელი ლითონისა და IV ჯგუფის ნახევარგამტარისაგან შედგენილი სამიზნის იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას, ამასთან, იონურ-პლაზმურ გაფრქვევას ახორციელებენ ისეთნაირად შერჩეულ ჟანგბადის პარციალურ წნევაზე, რომელიც უზრუნველყოფს ლითონის სრულ დაჟანგვასა და მისი ოქსიდის მიღებას და, იმავდროულად, არასაკმარისია ოქსიდურ ფირში მყოფი ნახევარგამტარის ატომების დასაჟანგად
653			_aნანოელექტრონიკა
653			_aნახევარგამტარული ლითონები
653			_aმატრიცა
653			_aნანოკრისტალები
700			_aგობრონიძე, გიორგი _cგამომგონებელი
700			_a ჯიშიაშვილი, დავით _cგამომგონებელი _940825
700			_a შიოლაშვილი, ზეინაბ _cგამომგონებელი _942224
700			_938005 _aერისთავი, კახაბერ, _cგამომგონებელი
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c25130 _d25130