| 000 | 03737nam a22003257a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20191221223757.0 | ||
| 008 | 150821t2011 ge ||||| j 00| 0 geo d | ||
| 013 |
_a5351 _bge _cB _d2011-12-12 _epublished _fSakpatenti |
||
| 041 | _age | ||
| 084 | _aG01L1/00; | ||
| 084 | _aH 01 L 21/66 | ||
| 245 |
_aთხელ აფსკებში მექანიკური დაძაბულობის ნიშნის განსაზღვრის ხერხი _cთამაზ ყალაბეგიშვილი, გოჩა აბრამიშვილი, მაყვალა გალუსტაშვილი, ვახტანგ კვაჭაძე, თამაზ პავლიაშვილი. |
||
| 246 |
_a= METHOD OF DEFINITION OF STRAIN SIGN IN THIN FILMS _bგამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2011 5351 B : (51) G 01 L 1/00 (IPC, 2006) / |
||
| 264 |
_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2011 12 12 #23. |
||
| 300 |
_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 4 გვ. ; _bმუხლები: 1დამოუკიდებელი. |
||
| 500 | _a– პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე. | ||
| 520 | _aხერხი ითვალისწინებს ფუძეშრეზე დაფენილი აფსკის დაძაბულობის ნიშნის დადგენას ვიზუალური დაკვირვების საფუზველზე. აფსკებზე ინდენტირების მეთოდით კეთდება ანაბეჭდები და ხდება მიკროსკოპის საშუალებით მათი დიაგონალების ზომების ცვლილებებზე დროში დაკვირვება, რის შედეგადაც განისაზღვრება მექანიკური დაძაბულობის ნიშანი. | ||
| 653 | _aოპტიკა | ||
| 653 | _aმიკროელექტრონული ტექნოლოგია | ||
| 653 | _aაფსკი | ||
| 700 |
_aყალაბეგიშვილი, თამაზ _cგამომგონებელი |
||
| 700 |
_aგალუსტაშვილი, მაყვალა _cგამომგონებელი _941431 |
||
| 700 |
_aკვაჭაძე, ვახტანგ _cგამომგონებელი _936198 |
||
| 700 |
_aპავლიაშვილი, თამაზ _cგამომგონებელი |
||
| 700 |
_aაბრამიშვილი, გოჩა _cგამომგონებელი _939907 |
||
| 710 |
_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი |
||
| 856 |
_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here |
||
| 942 |
_2udc _cPT |
||
| 999 |
_c25965 _d25965 |
||