000			03576nam a22003377a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223832.0
008			150914t2001 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a2594 _bge _cB _d2001-06-11 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01L21/00
084			_aH01L21/108
084			_aH01L21/22
245			_aნახევარგამტარული ხელსაწყოების დამზადების ხერხი _cირაკლი ნახუცრიშვილი, დავით ჯიშიაშვილი, ვალერიან გობრონიძე, ზეინაბ შიოლაშვილი.
246			_a= Method for Production of Semiconductor Devices _b : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 2001 2594 B : (51) H 01 L 21/00 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 2001 11 26 # 21.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 5 გვ. ;
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_a1. ტექნიკური შედეგი ტექნოლოგიური პროცესის გაუმჯობესება. 2. არსი ხერხი ითვალისწინებს AIII BV ტიპის ნახევარგამტარის ზედაპირზე გერმანიუმის დიფუზიის წყაროს წარმოქმნას გერმანიუმის სამიზნის დაბალტემპერატურული იონურ-პლაზმური გაფრქვევით. მოყვანილია ტექნოლოგიური რეჟიმის პარამეტრები. 3. გამოყენების სფერო ნახევარგამტარული ტექნიკა.
653			_aტექნიკა
653			_aნახევარგამტარული
653			_aხელსაწყო
653			_aდამზადების ხერხი
700			_aნახუცრიშვილი, ირაკლი _cგამომგონებელი _937194
700			_a ჯიშიაშვილი, დავით _cგამომგონებელი _940825
700			_a გობრონიძე, ვალერიან _cგამომგონებელი
700			_a შიოლაშვილი, ზეინაბ _cგამომგონებელი _942224
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c26729 _d26729