000			03953nam a22002657a 4500
003			Ge_NSL
005			20191221223910.0
008			150928t1997 ge ||||| j 00| 0 geo d
013			_a762 _bge _cB _d1997-03-01 _epublished _fSakpatenti
041			_age
084			_aH01L21/28
245			_aAIIIBV სახის ნახევარგამტარზე ომური კონტაქტის შექმნის ხერხი _cელეონორა გრძელიშვილი.
246			_a= Method for Production of Ohmic Contacts on III-V (compound) Semiconductors _b : გამოგონების პატენტი = Patent for invention : (11) GE P 1997 762 B : (51) H 01 L 21/28 (IPC, 2006) /
264			_aქ. მცხეთა : _bსაქპატენტი, _cპატენტის გამოქვეყ.თარიღი და ბიულეტენის ნომერი (45): 1997 01 03 #3.
300			_aგამოგონებაზე პატენტის სრული ტექსტი - 2 გვ. ;
500			_a - პატენტის სრული აღწერილობისა და ტექსტის მოსანახად ქართულ ენაზე დააწკაპეთ მარჯვენა მხარეს ბმულზე „სხვა ძიებები“ და შემდეგ საქპატენტის შესაბამის ბმულზე.
520			_aგამოგონება განეკუთვნება ნახევარგამტარიან ხელსაწყოთმშენებლობას და შეიძლება გამოყენებულ იქნეს A B სახის ნახევარგამტარის საფუძველზე ხელსაწყოების დამზადების ტექნოლოგიაში. გამოგონების ტექნიკური შედეგია ომური კონტაქტის გამოსავლიანობის გაზრდა, მათი ხვედრითი წინააღმდეგობის შემცირება და გამტარების თერმოკომპრესული და ულტრაბგერითი მიერთების უნარის გაუმჯობესება. ხერხი ითვალისწინებს A B სახის ნახევარგამტარის ფირფიტის ქიმიურ დამუშავებას, მის ზედაპირზე სილიციუმის დიოქსდის დაფრქვევით და ფოტოლითოგრაგიით ნიღბის შექმნას, გახსნილ ფანჯრებში პალადიუმის, ნიკელის, ოქროსა და კალის დალექვას, თერმოდამუშავებას და ნიკელის მეორე ფენის დალექვას.
653			_aნახევარგამტარიანი ხელსაწყოთმშენებლობა
653			_aომური კონტაქტი
653			_aდამზადების ხერხი
700			_aგრძელიშვილი, ელეონორა _cგამომგონებელი _946692
710			_932583 _aსაქართველოს ინტელექტუალური საკუთრების ეროვნული ცენტრი - საქპატენტი
856			_uhttp://www.sakpatenti.gov.ge/ka/search_engine/search/1/ _ySearch patent description for inventions here
942			_2udc _cPT
999			_c27299 _d27299