| 000 | 01962nam a2200265 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 999 |
_c492062 _d492060 |
||
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20221115062657.0 | ||
| 008 | 190313s2005 ge ||||| |||| 00| 0 geo d | ||
| 041 | _ageo | ||
| 080 | _a 62(043) | ||
| 100 |
_aკუტუბიძე, ბორის _9105218 |
||
| 245 |
_aმესერის ატომების სიგრძივი აკუსტიკური რხევების ლოკალიზაციის მოვლენის გათვალისწინებით ინდიუმის ფოსფიდისა და გალიუმის არსენიდის საფუძველზე სტრუქტურების შექმნის ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის დამუშავება : _bავტორეფ... ტექნ. მეცნ. დოქტ.. 05.27.06 / _cბორის კუტუბიძე ; საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი ;[მეცნიერ-კონსულტანტი:: რაფიელ ჩიქოვანი]. |
||
| 264 |
_aთბილისი, _c 2005. |
||
| 300 | _a28 გვ. | ||
| 504 | _aბიბლიოგრ. გვ.: 26-28 | ||
| 653 | _aელექტრონული ტექნიკა | ||
| 653 | _aმესერის ატომები | ||
| 653 | _aეპიტაქსური ტექნოლოგია | ||
| 653 | _aგანის დიოდები | ||
| 653 | _aველიანი ტრანზისტორები | ||
| 653 | _aავტორეფერატი | ||
| 700 |
_a ჩიქოვანი, რაფიელ, _eმეცნიერ-კონსულტანტი _918905 |
||
| 710 |
_aსაქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი _962482 |
||
| 942 |
_2udc _cBK |
||