000 02079nam a22002897a 4500
999 _c494048
_d494046
003 Ge_NSL
005 20221115062658.0
008 190329s2006 ge ||||| |||| 00| 0 geo d
041 _ageo
041 _arus
080 _a537.311.322 (043)
100 _aტუტუნჯიანი, ნინო.
_9108624
245 _aმშრალი და სველი მოწამვლის პროცესების დამუშავება გალიუმის არსენიდის საფუძველზე ნახევარგამტარული ხელსაწყოებისა და ინტეგრალური სქემების დამზადების ტექნოლოგიაში :
_bავტორეფ... ტექნ. მეცნ. კანდ. 05.27.01 /
_cნინო ტუტუნჯიანი ; საქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი ; [სამეცნ. ხელმძღვანელი: ნინა ხუჭუა].
264 _aთბილისი,
_c2006.
300 _a36 გვ.
504 _aბიბლიოგრ.: გვ. 36
546 _aტექსტი ქართულ, რუსულ ენებზე
653 _aმყარსხეულოვანი ელექტრონიკა
653 _aმშრალი მოწამვლის პროცესები
653 _aსველი მოწამვლის პროცესები
653 _a ნახევარგამტარული ხელსაწყოები
653 _aინტეგრალური სქემები
653 _aავტორეფერატი
700 _aხუჭუა, ნინა
_eსამეცნიერო ხელმძღვანელი
_9107895
710 _aსაქართველოს ტექნიკური უნივერსიტეტი
_962482
942 _2udc
_cBK