| 000 | 01016nam a22002297a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | Ge_NSL | ||
| 005 | 20230517072639.0 | ||
| 008 | 211005s1979 az ||||| |||| 00| 0 rus d | ||
| 041 | _arus | ||
| 080 | _a537.311.322 | ||
| 100 |
_aАбдуллаев, Гасан Мамед Багир оглы. _960666 |
||
| 245 |
_aВзаимодействие лазерного излучения с полупроводниками типа A III B VI / _c Гасан. Б. Абдуллаев, Э. Ю. Салаев, В. М. Салманов ; АН АзССР, Институт физики |
||
| 260 |
_a Баку : _bЭлм, _c1979. |
||
| 300 |
_a137 с. : _bил.; _c21 см. |
||
| 653 | _aფიზიკა | ||
| 653 | _aნახევარგამტარული შენაერთები | ||
| 653 | _aლაზერი | ||
| 700 |
_aСалаев, Э. Ю. _9160832 |
||
| 700 |
_a Салманов, В.М. _9210914 |
||
| 710 |
_aАН АзССР, Институт физики _9210915 |
||
| 942 |
_2udc _cBK |
||
| 999 |
_c556467 _d556465 |
||